LAM和电子束光刻

好久没发半导体故事了。这篇是老早写的，有点价值观有问题所以一直没敢发。转眼到了2021年，改了改作为新年开篇励志:-)一、我们在《光刻机之战》中讨论跨越193nm时，曾提到尼康和IBM押宝EBDW(E-beam Direct Write，电子束直写；或叫EPL，电子束投射)。100KeV电子束的波长只有0.004nm，分辨率对比EUV优势太大了。而且电子束可以用成熟的磁透镜，不像EUV那样得用反射镜。然而，因为电子之间的库伦效应会引起电子束偏移，而且会有下图这种散射雾化效应，电子束光刻难以做到简单加大电流来提高效率。尼康的第一代EPL生产60nm晶圆才7-10wph。根据Tennant的5次方定律，生产15nm的效率将降低到只有0.1%，一天出一片晶圆就不错了。EUV虽然也功率宝贵，但一次扫描一片光场，比电子束一 ………………………………