综述：GaSb单晶研究进展@锑化物红外技术

近年来，锑化物红外技术发展迅速，成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓（GaSb）作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，凭借其优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用，对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能，这就要求其具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。据麦姆斯咨询报道，近期，中国科学院半导体研究所、光电子材料与器件重点实验室、中国科学院大学和中国科学院大学材料科学与光电技术学院的科研团队在《人工晶体学报》期刊上发表了以“GaSb单晶研究进展”为主题的文章。该文章第一作者为刘京明。本文介绍了GaSb晶体材料的性质和生长制备方法，梳理了国内外各机构的发展和研究进展，概述了GaSb在 ………………………………