浅谈下一代EUV光刻机

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自「semiwiki」，谢谢。自从英特尔将焦点放在其从 ASML接收第一个 0.55 NA EUV 光刻机以来，High-NA EUV 就受到了很多关注，而第一台High NA设备也有望于2025年到来。但众所周知的是，新一代光刻机有随机缺陷问题。还有许多与 EUV 光在 3D 中通过掩模拓扑传播相关的问题，其中阴影是对这种现象的最简单描述。一位 EDA 供应商已经披露，事实上，EUV 正在使用多团进行实践，这违背了它最初的意图。因此，随着High NA EUV的进入，单一图案EUV的前景使其成为一个非常有吸引力的选择。与当前的 EUV 系统相比，我们可以期待高 NA EUV 系统有哪些变化？高数值孔径的改进High NA 将数值孔径 (NA) 从当前值 0.33 增加到 0.55。第一个好处是这将最小 ………………………………