存储新势力：MRAM技术解析

来源：内容来自「SIMIT战略研究室」，作者 朱雷，谢谢。一. MRAM简介磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器之一（图1）。与其他存储技术相比（表1），MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中，因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。 图1 存储器类型表1 各类存储器的性能比较(一) 磁隧道结及隧穿磁阻效应 MRAM性能的提升，得益于磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）的隧穿磁阻（Tunnel Magnetoresistance，TMR）值不断提高。磁隧道结是MRAM的基本存储单元，其核心部分是由两个铁磁金属层（典型厚度为1~2.5nm）夹着一个隧穿势垒层（绝缘材料，典型 ………………………………