ACS Cent. Sci. | KAUST韩宇教授团队：低剂量4D-STEM Ptychography在电子束敏感材料中的应用

英文原题：4D-STEM Ptychography for Electron-Beam-Sensitive Materials通讯作者：Yu Han (韩宇)作者：Guanxing Li (李冠星), Hui Zhang (张辉), Yu Han (韩宇)*背景介绍透射电子显微镜（TEM）在纳米材料、物理、化学等领域发挥着巨大作用，它能以极高分辨率帮助物质结构解析、化学成分分析，甚至实时原位观察动态反应过程。然而，TEM中高能电子束可能会损伤材料结构，这限制了它在电子束敏感材料如分子筛、金属–有机框架（MOFs）、有机–无机杂化钙钛矿等中的应用。前期已有相关工作尝试克服此类问题，如超低剂量的高分辨TEM（HRTEM）、积分差分相位衬度扫描透射电子显微技术（iDPC-STEM）。然而，HRTEM图像衬度难以解释，易出现假象；iDPC-STEM对样品要求高，需要样品超薄（10 nm以下）、精确带轴取向、精准对焦，这些要求在低剂量的实际操作中往往难以达到，导致其 ………………………………