英国研发新一代革命性内存：10ns延迟、功耗仅有1%

2020年美光三星等公司会推出新一代的DDR5内存，最高速率可达6400Mbps，将逐步取代DDR4内存。现在的DRAM内存技术还在升级，但是技术瓶颈也日趋明显，研究人员正在寻找新的内存替代技术，英国就找到了新方向——全新内存延迟可低至10ns，功耗仅有现在1%。多年来人们一直在寻求完美的“内存”芯片，它既需要低延迟、高带宽，也要功耗低（不需要频繁刷新），同时还得容量大，成本低，更重要的是具备断电不损失数据的特性，可以说是NAND闪存及DRAM内存的完美体。这么多要求，做起来可真不容易，Intel的傲腾内存是基于PCM相变内存技术的，在可靠性、延迟等问题上已经大幅领先现在的闪存，更接近DRAM内存芯片了，不过超越内存还达不到。日前外媒报道称，英国的研究人 ………………………………