存储 | 三星电子已掌握200层以上8代V Nand技术，未来欲引领千层时代

CINNO Research产业资讯，三星电子6月8日表示已掌握200层以上八代V Nand技术，未来将引领1000层Nand时代。根据韩媒朝鲜日报报道，三星电子Flash开发室长(副社长)Song Jaehyeok在当天三星电子新闻室上传的文章中表示，Nand Flash有朝一日要面对高度限制问题。而三星电子将通过业界最小cell的3D Scaling技术，成为最先克服高度限制的公司。Nand Flash是和Dram一样的存储半导体。美国美光在去年11月是曾表示，全球首家开发出176层Nand。而三星电子公布的Nand技术仍停留在128层。宋副社长表示，在三星电子率先开发出V Nand后，层数竞争日益激烈。而就算是同样层数，核心的竞争力在于如何实现更低的高度。三星电子计划在今年下半年推出的7代V Nand采用3D Scaling技术，体积最多可减少35%。这其 ………………………………