三星升级再扩产，长江存储顶得住吗？

日前，三星宣布其第五代V-NAND芯片正式量产。因为首次采用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps，比上代64层堆叠提升了40％，同时电压从1.8V降至1.2V，能效大大提高。正在大家感叹于三星的技术进展神速的时候，三星再祭出一个大杀招，那就是继续投资扩充产能。这对于正在投入巨资争取Flash国产化的长江存储来说，无疑是一个大挑战。双管齐下增强闪存市场影响力据半导体行业观察（微信号：ICBANK）了解，三星前一代的V-NAND是64层的，新产品除了上面介绍的那些提升以外，延迟、耐久和可靠性有了一定的提高，且每个存储层的厚度已经削薄了很多。三星方面披露的消息可以看到，其第五代的首批采用了96 layer的设计，不但能将单die的容量 ………………………………