10纳米级！台湾DRAM技术实现重大突破

南亚科总经理李培瑛近日宣布，已完成自主研发10纳米级DRAM技术。针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术也将采自主开发技术为主，不再向合作伙伴美光（Micron）申请授权。这样不仅减少授权费用支出，也能针对自行研发的技术适时优化，以提升至最佳生产效率。预估，第一代10纳米级前导产品包括8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主研发的制程及产品技术平台上，预计2020下半年陆续进入产品试产。至于，第2代10纳米级生产技术目前正在研发阶段，预计2022年开始导入试产。对于2020年的展望，李培英表示，在库存持续去化，供需逐 ………………………………