昕感科技重磅首发业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET器件新产品

近日，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台，采用先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，配合TO-247-4L Plus封装，有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关应用，助力新能源领域快速更新换代，为国家“碳达峰、碳中和”目标的实现做出贡献。昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封装，具备开尔文源极和低热阻等优势，能够显著降低开关损耗及震荡，提升器件散热表现。昕感新品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低（），具备优越的高压阻断特性。N2M120007PP0器件部分静态特性昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性 ………………………………