基本半导体受邀出席2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛

文章预览

近日，2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京成功举行。本次论坛以“凝芯聚力，降本增效”为主题，汇聚了近500位行业内的专家学者、企业代表、科研机构和政府代表，共同围绕宽禁带半导体的前沿技术、产业趋势和创新应用等议题展开了深入研讨和交流。基本半导体器件研发部副总监田丽欣博士受邀出席论坛并发表主题演讲 《未来已来——功率半导体的碳化硅时代》 。 田丽欣博士在演讲中分享了碳化硅行业的市场应用情况和技术发展趋势。她提到，未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。 为此，基本半导体研发推出更高性能的 第三代碳化硅MOSFET ，该系列产品进一步优化钝 ………………………………