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在科技飞速发展的今天,MEMS技术正成为推动各行业变革的关键力量。作为压电MEMS领域的领军者,南京宙讯微电子科技有限公司凭借其全球领先的 氮化铝(AlN) 和 掺钪氮化铝(AlScN) 工艺技术,打造了业界顶尖的压电 MEMS 工艺平台,为高端微纳器件研发与量产提供了强有力的支持。 技术领先性:AlN与AlScN工艺的行业标杆 氮化铝(AlN)工艺:成熟可靠,性能卓越 氮化铝(AlN)薄膜因其优异的压电性能和热稳定性,在MEMS领域占据核心地位。宙讯微电子在AlN工艺上深耕多年,通过自主研发和持续优化,实现了薄膜质量的行业领先水平。我们的AlN薄膜具有以下优势: 高均匀性: 薄膜厚度均匀性控制在0.2%以内,确保器件性能一致性。 优异的压电性能: 压电常数(d33)达到5.5pm/V,AlN薄膜机电耦合系数(kt²)显著提高到6.8%以上,满足高频、高精度器件
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