存储巨头，盯上混合键合

主要观点总结

本文介绍了韩国内存芯片制造商三星和SK海力士在其即将推出的3D DRAM中采用混合键合技术的消息。混合键合技术能够使芯片垂直堆叠并通过硅通孔或微铜线连接，提高存储单元密度。三星也在研究4F Square DRAM并计划应用此项技术。此外，文章还提及了混合键合技术在HBM制造中的应用，以及未来量产计划。

关键观点总结

关键观点1: 韩国内存芯片制造商采用混合键合技术

三星和SK海力士将在其即将推出的3D DRAM中应用晶圆键合技术，该技术也被称为混合键合，可使芯片垂直堆叠并连接，提高存储单元密度。

关键观点2: 混合键合技术的特点

混合键合技术通过硅通孔或微铜线连接芯片，I/O直接连接而无需凸块，能够实现芯片的垂直堆叠。

关键观点3: 三星研究4F Square DRAM并计划应用混合键合技术

三星正在研究4F Square DRAM，并计划将混合键合技术应用于其生产中。该技术有助于提高存储单元密度，并有望应用于高带宽存储器（HBM）的制造中。

关键观点4: 混合键合技术在HBM制造中的应用

混合键合技术是下一代封装技术，能够实现在更低的高度键合更多芯片堆叠，同时提高散热效率。三星已经使用混合键合技术制造了HBM 16H样品，并表示计划在2025年制造HBM4样品并进行量产。