电光集成：芯片领域进入混合“赛道”

IBM研发出2纳米制程芯片的消息尚未传开，台积电和合作伙伴就宣布取得了1纳米以下制程芯片技术突破。业内普遍认为，芯片技术日新月异的同时，也一步步逼近其物理理论的极限。近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。光子芯片奋起直追，也许能帮助人们突破摩尔定律开辟新的“赛道”。低光学损耗新纪录光子芯片通常由硅制成，硅在地壳中含量丰富且具有良好的光学特性，但难以满足集成光子芯片所需的一切条件，因此出现了诸多新材料平台，如氮化硅、二氧化硅、氮化铝、铌酸锂、碳化硅等。Tobias ………………………………