中科院微电子所 & 剑桥大学Nat Commun :基于单层MoS2的亚阈值肖特基势垒晶体管

主要观点总结

文章介绍了中国科学院微电子研究所和剑桥大学的研究团队在单层MoS₂晶体管领域取得的突破。他们展示了一种源栅晶体管（SGT）架构，该架构集成了化学气相沉积生长的单层MoS₂与高介电常数薄层介质。这种晶体管在亚阈值工作状态下具有高本征增益和高截止频率。研究还包括基于这种晶体管的集成放大器，该放大器在亚阈值区域工作时实现了高电压增益和低功耗。这项研究为高性能晶体管解决方案提供了新的可行路径，尤其适用于高增益、高频和超低功耗应用。

关键观点总结

关键观点1: 研究团队展示了一种基于单层MoS₂的源栅晶体管（SGT）架构。

该架构集成了化学气相沉积生长的单层MoS₂与高介电常数薄层介质。

关键观点2: 这种晶体管在亚阈值工作状态下具有高本征增益和高截止频率。

即使在沟道长度从1000 nm缩短至80 nm的情况下，本征增益始终保持在约2.4×10³以上，且未出现明显衰减。

关键观点3: 研究还包括基于这种晶体管的集成放大器。

该放大器在亚阈值区域工作时实现了高电压增益和低功耗，为高性能晶体管解决方案提供了新的可行路径。

关键观点4: 该研究成果有助于推动高性能晶体管的发展。

尤其是为高增益、高频和超低功耗应用提供了通用解决方案。