鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅功率器件产学研合作新生态

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共建产学研合作新生态 4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流活动。双方围绕SiC肖特基二极管、MOSFET器件的研发以及产业化应用等展开深度研讨，山东大学新一代材料研究院韩吉胜教授团队的七位专家学者共同参与，共探产学研协同创新路径。 技术研讨：聚焦碳化硅器件研发突破 双方重点交流了超高压5000V SiC肖特基二极管及大功率MOSFET器件的技术进展。鲁晶半导体技术团队分享了其在器件研发与制造中的阶段性成果，山东大学专家则从学术角度剖析了高频、高效、高温性能优化方案。双方一致认为，SiC功率器件凭借其耐高压、低损耗特性，将成为未来电力电子领域的核心技术方向，而鲁晶半导体的产业化经验与山东大学的科研实力为合作提供了强有力 ………………………………