复旦大学研制出世界最快高速闪存技术，每秒25亿次操作！

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继二维半导体芯片之后，复旦大学在集成电路领域再获关键突破！ 近日，上海复旦大学科研团队研制出了一种超高速闪存技术，其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。 图源：复旦大学 这一成果由复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的周鹏和刘春森团队主导完成，他们通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，并据此研发了名为“破晓（PoX）”的新型闪存技术，成功突破了存储速度的理论极限。    浮栅晶体管是闪存的基本存储单元，由源极（Source）、漏极（Drain）、控制门（Control Gate）和浮动栅（Floating Gate）组成。其中，浮动栅位于源极和漏极之间，并被一层绝缘氧化层隔开，从而实现电荷的存储功能。 当电子从源极通过沟道向漏极移动时，如果 ………………………………