半导体所在植入式脑机接口器件(微电极)研究方面取得重要突破

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来源： 中国科学院半导体研究所 近期，中国科学院半导体研究所裴为华研究员团队在脑机接口核心器件——植入式神经微电极研发方面取得重要突破，开发出一种创新性神经透明电极技术，为神经信号的多模态高分辨采集和在体神经长期记录提供了创新解决方案。 电活动是以大脑为代表的神经信息系统产生、传输和处理信息的基础。检测活体生物的神经活动是脑科学研究、临床神经及精神类疾病研究和脑机接口应用研究的关键核心技术。植入式胞外神经微电极可以记录 单个 神经元的动作电位，具有非常高的时间分辨率；钙离子荧光成像是利用神经元放电或兴奋时，细胞内钙离子浓度会迅速上升10~100倍这一特点，通过对细胞内钙离子进行荧光标记、再利用植入式微型显微镜就可直接同时观察数百个甚至上千细胞的活动情况，具有很高的空间分辨 ………………………………