中国科大在功率电子器件领域取得重要进展

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时间地点 2024.6.20 13:00-17:00 成都市武侯区天府大道中段666号希顿国际酒店M层纳斯卡厅 报名方式 扫描二维码，进行报名 中国科大微电子学院龙世兵教授课题组的五篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议报告。 能源、信息、国防、轨道交通、电动汽车等领域的快速发展，对功率半导体器件性能提出了更高的要求，高耐压、低损耗、大功率器件成为未来发展的趋势。氧化镓作为新一代功率半导体材料，禁带宽带大、抗极端环境强，有望在未来功率器件领域发挥极其重要的作用。但氧化镓功率半导体器件推向产业化仍然有很多问题，包括边缘峰值电场难以抑制、增强型晶体管难以实现。 近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组的五篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ………………………………