中科院物理所高鸿钧、杨海涛，国科大周武AM：范德华铁磁材料Fe₃GaTe₂纳米片中室温下的反对称磁阻

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1 、研究背景： 二维范德华铁磁材料 的发现 为研究二维极限下的基础磁学，操纵自旋相关现象以及实现低功率的二维自旋电子学器件提供了前所未有的机遇， 近几年，二维铁磁性材料的研究出现井喷式爆发，目前已有多种二维本征铁磁材料被发现和研究， 但大多数铁磁材料的居里温度都低于室温，极大地限制了在自旋电子器件中的应用。最近 新发现的一类二维 Fe 3 GaTe 2 材料具有高居里温度（ 342 K-365 K ）以及强的垂直磁各向异性 ，在实现二维自旋电子学器件应用方面表现出巨大的潜力。 2 、文章概述： 近期，中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家研究中心 高鸿钧 院士、 杨海涛 研究员团队与中国科学院大学 周武 教授团队联合报道了范德华铁磁材料 Fe 3 GaTe 2 纳米片中室温下的反对称磁阻。 他们通过化学气相输运法合成了超高质量的 Fe 3 ………………………………