复旦大学刘云圻院士、王洋团队/宁波材料所葛子义《Angew》：基于不对称B←N功能化苯并噻二唑的高性能n型聚合物半导体

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聚 合物半导体材料因其在机发光二极管（ OLED ）、有机太阳能电池（ OPV ）和有机薄膜晶体管（ OTFT ）等光电器件中的广阔应用前景，受到了工业界和学术界的高度关注。其中， OTFT 器件在柔性电子、电子皮肤和射频识别（ RFID ）技术等领域展现出极大的商业潜力。然而，当前单极性 n 型聚合物 OTFT 器件普遍存在电子迁移率较低的短板，这严重制约了低功耗、高信噪比以及抗干扰能力优异的 p-n 互补逻辑电路的开发。为解决这一挑战， 硼氮配位 修饰策略作为一种有效的分子工程手段，在制备高性能 n 型聚合物半导体材料方面发挥了重要作用。 通过硼氮配位键 的构建，不仅能够显著降低分子的最低未占有分子轨道（ LUMO ） 能级，同时还能通过引入稳定的稠环结构，增强分子骨架的刚性，扩大 π - π 共轭体系的尺度，从而促进载流子的跃迁与传输， ………………………………