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11月7日消息, 据报道,美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。 这款晶体管堪称迄今为止最小的3D晶体管,其性能与功能不仅与现有硅基晶体管不相上下,甚至在某些方面还实现了超越。 晶体管作为现代电子设备和集成电路不可或缺的基石,承担着放大和开关电信号等多重关键任务。 然而,长久以来,硅基晶体管一直受制于“玻尔兹曼暴政”这一物理定律的束缚,无法在过低的电压条件下正常工作,这无疑成为其性能提升与应用范围拓展的一大障碍。 为了攻克这一难题,麻省理工学院的科研团队独辟蹊径,选用了由锑化镓和砷化铟构成的超薄半导体材料,精心打造出这款新型3D晶体管。 该晶体管不仅性能达到了当前硅晶体管的顶尖水平,更能在远低于传统晶体管的电压下实现高效运作。 此外,团队还
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