基于压阻式硅纳米线的多轴NEMS力传感器

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基于微机电系统（MEMS）和纳机电系统（NEMS）技术制备的微型力传感器，能够在微牛顿和亚微牛顿范围内对力进行精确测量。MEMS/NEMS力传感器采用的传感原理多种多样，例如压阻、电容、光学、压电及磁性，以检测和量化施加的力。其中，压阻式传感器因其抗静电干扰能力强、读出电路简单、噪声低、易于集成和批量生产，以及具有小型化潜力等优势而备受青睐。一维硅（Si）结构，尤其是亚微米硅纳米线（SiNW），因其成熟的半导体制造工艺以及压阻特性优势，被认为是架起MEMS和NEMS之间桥梁的理想材料。硅纳米线的小型化优势和高灵敏度，为开发嵌入式或悬浮式压阻硅纳米线提供了支持，有望助力传感器实现低功耗、低噪声和小型化等多重目标。 据麦姆斯咨询报道，近期，科奇大学（Koc University）的研究团队开发出一种基于压阻式硅纳米线的多轴 ………………………………