主要观点总结
本文关注人工智能、芯片等行业,特别是NAND闪存和DRAM市场的发展趋势。文章指出,尽管供应端有所恢复并提升了产能,但需求端持续疲软,导致市场整体承受价格下行压力。特别是面向消费者的细分市场中,价格跌幅显著。同时,受智能手机需求下滑和库存积压影响,NAND晶圆价格和DRAM价格均出现下滑趋势。主要供应商正在考虑调整生产计划并转向生产高带宽内存(HBM),以应对市场变化。
关键观点总结
关键观点1: 市场整体承受价格下行压力
由于需求端通货膨胀压力及AI个人电脑应用场景的缺乏,同时供应端虽有技术革新提升产能,但整体面临供应过剩的状况,共同导致市场价格竞争加剧。
关键观点2: 面向消费者的细分市场价格跌幅显著
消费类NAND产品和DRAM价格出现下滑,特别是用于高端及旗舰智能手机的eMMC和UFS产品,以及DDR产品。
关键观点3: 主要供应商调整生产计划并考虑转向生产高带宽内存(HBM)
为应对市场变化,主要闪存制造商正在考虑减少非易失性内存的投资,并可能转向生产HBM。未来HBM在DRAM总收入中的占比将持续扩大。
关键观点4: 市场已发出卖出信号,未来可能出现趋势性反转
当前市场已暴露出卖出信号,预示着下一轮周期性下滑即将开始,DRAM市场将持续面临供应过剩的问题。
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