北京师范大学袁方龙最新ACS Energy Letters：局域电子密度工程实现全无机无铅卤化锡明亮稳定的近红外电致发光

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       发射波长超过900 nm的近红外发光二极管(NIR LED)具有广阔的应用前景，但制造高效、明亮且稳定的 近红外 LED仍然是一项重大挑战。鉴于此，2024年9月11日 北京师范大学袁方龙 & 内蒙古大学Jinlu He 于ACS Energy Letters刊发局域电子密度工程实现全无机无铅卤化锡明亮稳定的近红外电致发光的研究成果，利用 N,N′-亚甲基二丙烯酰胺(MBAA)精心设计 Sn 2+ 的局部电子密度，开发出基于全无机CsSnI 3 的高效、明亮且稳定的NIR LED，发射波长超过900 nm。实验研究和理论计算表明，MBAA中C═O单元的多个孤对电子可以与 Sn 2+ 形成强配位键，从而降低缺陷密度和本征空穴掺杂密度，并提高CsSnI 3 的稳定性。由此产生的峰值为943 nm的近红外LED显示出 204 W sr -1 m -2 的高辐射度、6.56%的高外部量子效率，以及在50 mA cm -2 的高恒定电流密度下超过150小时的超长工作半衰期。 ………………………………