Light | 电子经相邻原子核隧穿电离

撰稿 | 朱明（海南大学，博士生）背景介绍隧穿效应是量子力学中最基本的过程之一，电子波包有一定概率穿越经典理论中不可逾越的势垒。在原子分子尺度内，隧穿效应在分子生物学中发挥着重要作用，例如加速酶催化，促使DNA中的自发突变和触发嗅觉信号级联。光电子隧穿是光诱导化学反应、电荷、能量转移和辐射发射的关键过程。当前，光电芯片等器件的尺寸已经接近亚纳米原子尺度，不同通道之间的量子隧穿效应将显著增强。因此, 对多原子复杂环境下亚纳米空间尺度隧穿动力学的实时成像，对推动基于量子隧穿的新一代超快光电器件的发展具有重要意义。图1 芯片与Ar-Kr+模型系统来源：自绘电子经相邻原子核隧穿电离研究人员设计了一个隧穿电子位置分辨的二聚体Ar-Kr分子离子作为原型系统，其原子间距为0.39纳米，以追踪亚纳米复杂体 ………………………………