SiC衬底和外延片区别：从单晶生长到功能层构建的全流程解析

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1. 碳化硅衬底的定义及特性 1.1 碳化硅衬底的基本概念 碳化硅衬底是一种通过物理气相传输法（PVT）生长出来的SiC单晶材料，作为外延片生长和后续器件制作的基础。其主要功能是提供机械支撑和电学性能，同时为外延片提供生长所需的晶体结构。 1.2 衬底的关键特性 碳化硅衬底的性能由以下几个方面决定： 材料属性 ： 衬底的质量通常由晶体缺陷密度决定，包括位错密度（Threading Dislocation Density, TDD）、微管密度（Micropipe Density, MPD）和其他结构缺陷。缺陷密度的降低直接影响器件性能的稳定性和可靠性。 导电类型 ： 根据掺杂不同，衬底可分为N型、P型和半绝缘型。其中N型衬底多用于功率器件，半绝缘型则适用于射频和微波器件。 物理规格 ： 衬底的尺寸（直径和厚度）和表面平整度是其关键指标。目前，6英寸SiC衬底已实现商业化，8英寸技术正 ………………………………