【专利】长电科技“封装结构以及封装方法”专利公布；敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”获授权；

文章预览

1.敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”专利获授权 2.展讯通信“芯片封装及其制作方法、电路板”专利公布 3.长电科技“封装结构以及封装方法”专利公布 4.芯联集成“红外传感器及其制备方法”专利公布 1.敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”专利获授权 天眼查显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司近日取得一项名为“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”的专利，授权公告号为CN118359167B，授权公告日为2024年10月18日，申请日为2024年6月19日。 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导 ………………………………