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【专利】长电科技“封装结构以及封装方法”专利公布;敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”获授权;

集微网  · 公众号  ·  · 2024-11-13 07:29
    

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1.敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”专利获授权 2.展讯通信“芯片封装及其制作方法、电路板”专利公布 3.长电科技“封装结构以及封装方法”专利公布 4.芯联集成“红外传感器及其制备方法”专利公布 1.敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”专利获授权 天眼查显示,苏州敏芯微电子技术股份有限公司近日取得一项名为“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”的专利,授权公告号为CN118359167B,授权公告日为2024年10月18日,申请日为2024年6月19日。 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法,其中的制造方法包括:提供衬底,在衬底的一侧形成振膜层;在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层;对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔;在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层,在第一通孔内填充形成第一支撑结构;对导 ………………………………

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