鳍式场效应晶体管（FinFET）技术解读

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自半导体晶体管问世以来，集成电路技术便在摩尔定律的指引下迅猛发展。摩尔定律预言，单位面积上的晶体管数量每两年翻一番，而这一进步在过去几十年里得到了充分验证。 然而，随着技术节点进入纳米级尺度，传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）面临着严峻的技术挑战。短沟道效应和漏电流问题使得平面 MOSFET 难以满足深亚微米技术节点的需求。在此背景下，鳍式场效应晶体管（ FinFET ）应运而生，成为平面 MOSFET 的继任者，为摩尔定律的持续推进提供了新的可能性。 本文将回顾从平面 MOSFET 到 FinFET 的技术演进，探讨其核心原理及未来面临的挑战。 传统的平面 MOSFET 通过互补金属氧化物半导体（ CMOS ）技术实现晶体管的缩放，从而提高了集成电路的性能和密度。然而，当技术节点接近亚 100 纳米级别时，晶体管的几何尺寸的 ………………………………