可用于7埃米节点，imec首次展示功能性单片CFET器件

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当地时间6月18日，imec（比利时微电子研究中心）通过官网宣布，在本周举行的 2024 年 IEEE VLSI 技术与电路研讨会 (2024 VLSI) 上， imec 首次展示了具有堆叠底部和顶部源/漏极触点的功能性单片CMOS CFET 器件。虽然结果是从正面图案化两个触点获得的，但 imec 还展示了将底部触点形成移至晶圆背面的可行性——将顶部器件的存活率从 11% 显著提高到 79%。 imec 的逻辑技术路线图设想在 A7 （7埃米）制程节点设备架构中引入互补场效应晶体管 (CFET)。当与先进的布线技术相结合时，CFET 有望将标准单元轨道高度从 5T 降低到 4T 甚至更低，而不会降低性能。在集成 n 和 pMOS 垂直堆叠结构的不同方法中，与现有的纳米片型工艺流程相比，单片集成被认为是破坏性最小的。 △图1：具有MDI和堆叠正面图案化触点的CMOS CFET器件(TC =顶部触点; TJ= 顶部结; BC=底部触点; BJ= 底部 ………………………………