拿下30万平土地，台积电年底开建3nm晶圆工厂

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来源： 内容来自[快科技] [超能网]，谢谢。 在三星上周纸面预览了其3nm工艺后，台积电也毫不示弱，业内人士称，台积电年底前会敲定南部科技园的30公顷土地（30万平米），随后启动3nm晶圆厂的建设。 目前，台积电的12寸超大晶圆厂有六座，分别是总部及晶圆十二A厂、研发中心及十二B厂、晶圆十四厂、晶圆十五厂、晶圆十六厂（南京）和晶圆十八厂。   关于3nm的技术细节，台积电尚未披露。 至少三星方面称，FinFET（鳍式场效晶体管，华人科学家、前台积电CTO胡正明教授发明）会在4nm LPE之后走到尽头。 他们提出的新解决方案是GAA MCFET（多桥通道FET），且有3 GAAE（GAAEarly）和3 GAAP（GAA Plus）两代。   2010年，Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡正明发明的FinFET和FD-SOI工 ………………………………