【专利】OPPO“手机的摄像头”专利获授权；英诺赛科申请GaNHEMT器件相关专利；亿智电子深度学习模型相关专利获授权

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1.英诺赛科“一种GaNHEMT器件及其制作方法”专利获授权 2.亿智电子“深度学习模型的定点量化方法及装置”专利获授权 3.必易微“原边控制电路、功率变换器及其控制方法”专利获授权 4.OPPO“手机的摄像头”专利获授权 5.云途半导体“一种车规芯片中存储失效检测与修复方法及装置”专利获授权 1.英诺赛科“一种GaNHEMT器件及其制作方法”专利获授权 天眼查显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司近日取得一项名为“一种GaNHEMT器件及其制作方法”的专利，授权公告号为CN118016710B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2024年4月10日。 本发明公开了一种GaN HEMT器件及其制作方法。包括：依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，凹陷调整层和成核层采用的材料相同，成核层的厚度小于或等于第一设定值，第一设定值小 ………………………………