如何验证SiC MOSFET栅氧可靠性——TDDB测试及栅氧寿命评估

主要观点总结

本文介绍了碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅氧可靠性验证方法。文章详细解释了经时介电击穿（TDDB）测试的原理和流程，以及TDDB失效机理。同时，介绍了如何通过E模型和1/E模型等寿命预测模型评估SiC MOSFET栅氧的可靠性。最后，对扬杰电子科技股份有限公司及其产品进行了简要介绍。文章仅作技术交流分享，不构成任何专业建议。

关键观点总结

关键观点1: 碳化硅（SiC）MOSFET的栅氧可靠性成为业界关注的焦点。

由于其在高频、高效功率转换应用中的理想性能，如高开关速度、低导通电阻和高工作温度。但栅氧层的可靠性直接影响到器件的长期稳定性和使用寿命，因此验证其可靠性至关重要。

关键观点2: TDDB测试是评估SiC MOSFET栅氧可靠性的重要方法。

通过了解TDDB的失效机理，可以知道器件的栅氧可靠性测试是可以通过改变施加在器件上的应力来加速的。加速因子为栅极电压和环境温度。实验流程包括器件初筛、TZDB测试、设置TDDB加速应力、器件失效判据以及实验停止判据等。

关键观点3: 通过TDDB测试和寿命预测模型，可以有效评估SiC MOSFET栅氧的可靠性。

文章介绍了不同的寿命预测模型，如E模型、1/E模型和幂律模型等。其中E模型成为工业上栅氧寿命外推的首选公式，因为它提供的寿命估算最为保守。