【学研】中国科学院研发出超采样成像技术 实现像素“分割”成像；西安电子科技大学第三代半导体创新中心成...

主要观点总结

中国科学院研发出超采样成像技术，实现了像素“分割”成像，突破了像素分辨率极限，为成像技术提供了新的途径。西安电子科技大学第三代半导体创新中心成果入选IFWS 2024中国第三代半导体技术十大进展。此外，文章还介绍了从平面晶体管到FinFET的演变过程，以及相关的半导体行业动态。

关键观点总结

关键观点1: 中国科学院超采样成像技术

实现了像素“分割”成像，突破了像素分辨率极限，为成像技术提供了新的途径。该技术具有广阔的应用发展潜力，在光学遥感、安防等成像领域具有应用前景。

关键观点2: 西安电子科技大学第三代半导体创新中心成果

入选IFWS 2024中国第三代半导体技术十大进展。该成果攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的技术难题，实现了高性能 GaN HEMT中试产品的开发。

关键观点3: 从平面晶体管到FinFET的演变

介绍了平面晶体管MOSFET的局限性以及高k/金属栅极技术的引入，FinFET的结构和优势，以及制造挑战。