Adv.Mater.：用于2D电子器件的高介电层状深紫外光学晶体KZn2BO3Br2！！

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中国科学院 福建物质结构研究所 刘伟研究员团队发表了题为“ Layered Deep-UV Optical Crystal KZn2BO3Br2 as a High-𝜿 Dielectric for 2D Electronic Devices”的工作在Advanced materials期刊 上，本文的第一作者为Yixiang Li 。 本研究介绍了一种新型的层状深紫外光学晶体KZn2BO3Br2（KZBB），作为一种高介电常数（high-𝜿）的准范德华（quasi-vdW）层状介电材料，适用于二维（2D）电子器件。KZBB展现出优异的介电特性，包括宽带隙、高介电常数以及平滑的界面。在以KZBB作为顶栅介电层的KZBB/MoS2场效应晶体管（FET）中，器件表现出卓越的性能，具有陡峭的亚阈值摆动（≈73 mV dec⁻¹）、高开关比（≈10⁷）、微小的迟滞（0–8 mV）以及稳定的低漏电流（≈10⁻⁷ A cm⁻²）。 背景 随着晶体管尺寸接近物理极限，基于硅的晶体管面临性能退化问题，主要是由于薄通道材料的电性能退化和 ………………………………