1300字干货！NMOS LDO原理

1. NMOS LDO原理概括图2-16是一个NMOS LDO的基本框图，在开关结构电源中MOS是工作在开关状态，在LDO电源中MOS工作在饱和区，注意：LDO一定是工作在饱和区（特殊情况会在可变电阻区），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引脚，一般还会有个Vbias引脚来给MOS的G极提供高压驱动源；或者只有一个Vi，而LDO内部集成了CHARGE BUMP (电荷泵)来为G极提供高压驱动源。LDO大体工作流程如下：当Vo下降时，反馈回路中的VFB也会下降，误差放大器输出端VG就会增加，随着VG增加，MOS的电流IDS电流也增加，负载电流Io也会跟着增加，最终使得Vo又恢复到原始电平，总结状态如下：Vo↓——>VFB↓——>VG↑——Io↑——>Vo↑图2-16  NMOS LDO结构框图2. NMOS LDO原理详细分析NMOS LDO详细工作原理见图2-17，图中是NMOS的输出特性曲线，让我们结合图2-16图2-17分析。假设一开始LDO工作状态在A点 ………………………………