看啥推荐读物
专栏名称: 21ic电子网
即时传播最新电子科技信息,汇聚业界精英精彩视点。
今天看啥  ›  专栏  ›  21ic电子网

1300字干货!NMOS LDO原理

21ic电子网  · 公众号  · 半导体  · 2024-04-14 21:40
1. NMOS LDO原理概括图2-16是一个NMOS LDO的基本框图,在开关结构电源中MOS是工作在开关状态,在LDO电源中MOS工作在饱和区,注意:LDO一定是工作在饱和区(特殊情况会在可变电阻区),所以VG要大于VS,因此NMOS LDO除了有Vi引脚,一般还会有个Vbias引脚来给MOS的G极提供高压驱动源;或者只有一个Vi,而LDO内部集成了CHARGE BUMP (电荷泵)来为G极提供高压驱动源。LDO大体工作流程如下:当Vo下降时,反馈回路中的VFB也会下降,误差放大器输出端VG就会增加,随着VG增加,MOS的电流IDS电流也增加,负载电流Io也会跟着增加,最终使得Vo又恢复到原始电平,总结状态如下:Vo↓——>VFB↓——>VG↑——Io↑——>Vo↑图2-16  NMOS LDO结构框图2. NMOS LDO原理详细分析NMOS LDO详细工作原理见图2-17,图中是NMOS的输出特性曲线,让我们结合图2-16图2-17分析。假设一开始LDO工作状态在A点 ………………………………

原文地址:访问原文地址
快照地址: 访问文章快照