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无机CsPbI3钙钛矿由于其固有的热稳定性和适宜的带隙,已成为一种有前景的深红光发光二极管(LED)发光材料。然而,受到碱性氧化锌(ZnO)衬底诱导的CsPbI3结晶不可控问题,在大尺寸薄膜基LED中导致在高亮度下外部量子效率(EQE)不足,从而成为商业化进程中的障碍。 在此, 上海交通大学陈悦天、缪炎峰和赵一新等人 提出了一种具有广泛适用性的有效酸性工程策略,用于修改ZnO的表面特性并调控CsPbI3结晶。通过系统选择具有温和酸解离常数的1,4-环己烷二羧酸对埋藏界面进行功能化,我们减缓了脱质子化反应的速率,成功获得了具有高相纯度和较少缺陷的均匀CsPbI3薄膜。 所得到的CsPbI3钙钛矿LED(PeLED)在3400 cd m–2的高亮度下,达到了19.4%的创纪录EQE,代表了目前最先进的大尺寸CsPbI3 PeLED。这些发现为高效CsPbI3 PeLED的进展提供了宝贵的见解。 论
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