DRAM/HBM/NAND产业快讯（2025.12.16）

主要观点总结

文章主要介绍了存储器超级周期的加速，尤其是eSSD的普及和全球内存总TAM的增长。文章还详细阐述了AI对存储器容量的结构性需求拉动、HBM对产能的挤占、价格涨幅以及供需紧张局势等情况。此外，文章还提到了三星和SK海力士在HBM领域的领先地位以及韩国政府在半导体的巨额投资情况。

关键观点总结

关键观点1: eSSD的普及和全球内存总TAM的增长

JPM模型预测eSSD的TAM有望在2025年超越商业关键型和近线型HDD，并在2027年达到HDD的两倍左右。同时，全球内存和存储器总TAM将在2027年达到约4200亿美元，该板块总市值将达1.5万亿美元。

关键观点2: AI对存储器容量的结构性需求拉动

AI服务器的SSD配置是普通服务器的约3倍，AI推理消耗的内存容量是训练的约3倍。AI对存储器容量需求激增是存储器上行周期成为“史上最长、最强劲的一次”的核心驱动力。

关键观点3: HBM对产能的挤占

即使新建晶圆厂投产，HBM对产能的挤占将持续到2027年。HBM占DRAM总产能的比重将上升，可能出现供应缺口，这一紧张局面或持续到2028年。

关键观点4: 价格涨幅和供需紧张局势

供需的强劲支撑下，预计2026财年DRAM的ASP将上涨53%，NAND闪存ASP将上涨30%。存储器厂商的营收和利润在未来一年半内将持续获得强劲支撑，价格上涨趋势确立。

关键观点5: 三星和SK海力士在HBM领域的领先地位

两大公司加速推进HBM产能扩张，M15X二期洁净室已进入Hook-up设计阶段，主要供应商已开始向英伟达交付付费HBM最终样品，标志着HBM4的供货竞赛已进入商业化冲刺阶段。

关键观点6: 韩国政府在半导体的巨额投资情况

韩国政府宣布投入高达700万亿韩元的巨额资金，用于巩固半导体产业长期主导地位。存储领域的投资计划和全球芯片竞争焦点也备受关注。