三星砸54亿美元,7纳米提前建厂死磕台积电；高通7纳米世代回归台积电势在必行；第二季NAND Fla...

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1.三星砸54亿美元、7纳米提前建厂； 2.高通7纳米世代回归台积电势在必行 联手转进FinFET制程； 3.2017年全球整体IC市场规模年增16% 存储器车用IC成长幅度最高； 4.Lam Research科技长：存储器会转变成模拟处理器； 5.第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%，第三季价格续扬 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！点击文章末端“ 阅读原文 ”或长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.三星砸54亿美元、7纳米提前建厂； 集微网消息，三星电子决定提前兴建南韩华城的18号线，提高竞争力抢单。 韩媒BusinessKorea 19日报导，三星华城厂的18号线原定明年动工，如今三星决定提前至今年11月破土。18号线的建筑面积为40,5 ………………………………