三星砸54亿美元,7纳米提前建厂死磕台积电；高通7纳米世代回归台积电势在必行；第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%

1.三星砸54亿美元、7纳米提前建厂；2.高通7纳米世代回归台积电势在必行 联手转进FinFET制程；3.2017年全球整体IC市场规模年增16% 存储器车用IC成长幅度最高；4.Lam Research科技长：存储器会转变成模拟处理器；5.第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%，第三季价格续扬集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！点击文章末端“阅读原文”或长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。1.三星砸54亿美元、7纳米提前建厂；集微网消息，三星电子决定提前兴建南韩华城的18号线，提高竞争力抢单。韩媒BusinessKorea 19日报导，三星华城厂的18号线原定明年动工，如今三星决定提前至今年11月破土。18号线的建筑面积为40,536平方公 ………………………………