北大 "铋基芯片" 横空出世：硅时代，再见！

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北京大学研究团队近日在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制全球首颗二维低功耗全环绕栅场效应晶体管（GAAFET），这项由彭海林教授、邱晨光教授领衔的跨学科成果，被团队成员称为 "里程碑式突破"。 彭海琳团队合影（右一为彭海琳） 技术核心：从 "硅基捷径" 到 "二维换道" 北大团队制备出论文所述的 "晶圆级多层堆叠单晶二维全环绕栅结构"。何为二维环栅晶体管？顾名思义，“二维”指二维半导体材料、“环栅”表示栅极全环绕包围半导体沟道的结构。二维环栅晶体管是未来集成电路芯片功耗缩放与性能释放的最优解之一，这已成为学术界和工业界的共识。彭海林在接受《南华早报》采访时强调："这是史上速度最快、效率最高的晶体管。若将基于现有材料的芯片创新比作 ' 走捷径 '，我们的二维材料晶体管研发则是 ' 换道超车 '。" 团队测 ………………………………