英特尔1.8nm制程细节曝光！

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  半导体行业圈 振兴国产半导体产业！ 英特尔在2025年VLSI研讨会上披露了更多关于其最新的Intel 18A（1.8nm）制程的细节。 最新资料显示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）库，具有全功能的技术设计功能和增强的设计易用性。 在PPA（性能、功耗、面积）比较中，Intel 18A在标准Arm核心架构的芯片上，1.1V电压下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。此外，Intel 18A的面积利用率比Intel 3更高，这意味着该制程可以实现更好的面积效率和更高密度设计的潜力。 英特尔官网此前公布的资料显示，Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术，可实现电流的精确控制，同时还率先采用了业界首创的PowerVia背面供电技术。 英特尔还展示了电压下降图，描绘了高性能条件下节点的稳定性，由于Intel 18A的PowerVia供电技术，该制程能够提供更稳定的电力传输 ………………………………