这篇Nature Materials，56位作者，首次合成新型二维半导体材料！

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研究背景 随着电子和光电子应用的快速发展，二维半导体材料因其优异的物理特性而引起了广泛关注。这些材料不仅展示了半导体的基本属性，还可能展现出额外的物理现象，比如忆阻特性，这在电子存储和处理技术中具有重要应用潜力。然而，探索具有忆阻特性的半导体二维材料面临巨大挑战。虽然顶化学方法已成功合成了多种二维材料，但具备忆阻能力的半导体二维材料依然难以获得。 忆阻器是一种结合了记忆特性和开关能力的三端器件，其通过低维材料的固有弱电静态屏蔽特性实现了潜在的功能扩展。这类结构不仅简化了交叉条阵列中的地址选择，还可能实现生物真实功能。然而，扩展具有忆阻行为的半导体范德华 (vdW) 材料库依然是一个主要挑战，尤其是在利用创新的软化学方法方面。软化学方法，尤其是选择性去除 A–B–X 三元化合物 ………………………………