台积电2nm工艺将继续涨价：每片晶圆超3万美元 为4/5nm两倍

主要观点总结

台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，将引入GAAFET晶体管技术并结合NanoFlex技术。相比当前工艺，N2工艺预计性能提升10%至15%或在相同频率下功耗降低25%至30%，同时晶体管密度提升15%。此外，台积电每片300mm的2nm晶圆价格超过预期，达到超过3万美元。

关键观点总结

关键观点1: 台积电在2nm制程上取得突破并引入新技术

台积电成功引入GAAFET晶体管技术，并结合NanoFlex技术，实现了在半导体技术领域的又一次飞跃。

关键观点2: N2工艺相较于当前工艺的性能和功耗优势

相比当前工艺，N2工艺预计在同一功率下能够实现更高的性能提升，同时能在相同频率下大幅降低功耗。

关键观点3: 晶体管密度的提升

晶体管密度的提升标志着台积电在半导体技术领域的持续进步和发展。

关键观点4: 2nm晶圆价格上升

据报道，台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过预期的3万美元，高于之前的预期价格。