可“长高”3D芯片：MIT开发无需硅晶圆基底的半导体制造方法

主要观点总结

传统计算机芯片制造中，晶体管密度已接近物理极限，促使芯片制造商开始探索垂直叠加技术以突破这一瓶颈。MIT工程师开发出一种无需硅晶圆基底的全新多层芯片制造技术，实现了在低温条件下的高质量半导体材料直接堆叠。这项技术可显著提升AI计算、逻辑运算和存储设备的性能，预计将在AI硬件领域带来突破，为半导体行业开辟新的可能性。

关键观点总结

关键观点1: 计算机芯片的晶体管密度接近物理极限，传统方法难以继续增加更多晶体管。

文章介绍了计算机芯片面临的挑战和现状。

关键观点2: 芯片制造商开始探索垂直叠加技术，通过将多个晶体管和半导体元件层叠起来打造多层芯片。

垂直叠加技术成为解决芯片晶体管密度问题的一种新方向。

关键观点3: MIT工程师开发出一种无需硅晶圆基底的全新多层芯片制造技术，实现了低温条件下的高质量半导体材料直接堆叠。

MIT的研究突破了传统的芯片制造限制。

关键观点4: 该技术显著提升AI计算、逻辑运算和存储设备的性能，预计将在AI硬件领域带来突破。

新技术将促进AI硬件的发展。

关键观点5: 研究得到了三星高级研究院和美国空军科学研究办公室的部分资助，MIT工程师已经成立了一家致力于可堆叠芯片设计的产业化公司。

该技术的商业化应用前景广阔。

文章预览

  （来源：MIT News） 计算机芯片的晶体管密度正逐步接近物理极限，传统方法已难以在芯片表面继续增加更多晶体管。因此，芯片制造商开始将目光投向垂直叠加的全新方向，而不再局限于平面扩展。 这种方式类似于将平房改建成摩天大楼，通过将多个晶体管和半导体元件层叠起来，打造多层芯片。这种设计能处理远超现有电子设备的数据量，支持更多复杂功能。 然而，目前的一个关键挑战在于芯片的构建平台。笨重的硅晶圆仍是制造高质量单晶半导体元件的主要基底，但在传统架构下，每层都需要厚厚的硅“地板”，这会显著降低功能性半导体层之间的通信速度。 对此，MIT 工程师开发了一种无需硅晶圆基底的全新多层芯片制造技术。这种方法在低温条件下完成，能够保护底层电路的完整性，并突破传统硅基底带来的限制。目前，这项研究成果 ………………………………