中科院半导体研究所在二维阵列激光器方面取得重要进展

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垂直腔面发射激光器（VCSEL）凭借其低阈值、圆形光斑、单纵模、低温漂系数、高可靠性及易于二维集成的优点，广泛应用于泵浦源、消费电子、3D传感、医疗美容等多个领域。然而，传统VCSEL在输出功率方面存在一定的局限，为提高功率，通常采用增大氧化孔径、多结结构以及扩大阵列规模等方法。这些手段虽然能够增加输出功率，但却导致发散角增大和横模变为高阶模等问题，进而使光束质量（Beam Parameter Product，BPP）下降，最终导致亮度急剧降低。因此，高功率与高光束质量之间的制约，成为了VCSEL技术发展的核心难题之一，也极大地限制了其在激光雷达、空间光通信等需要高亮度光源的远程探测与照明系统中的应用。 为解决这一瓶颈， 中国科学院半导体研究所固态光电信息技术实验室郑婉华院士团队联合中国科学院大学等单位 ，创新性地提 ………………………………