一览长光华芯2024年度四大技术成果

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随着激光在工业、通信等领域的持续渗透，对上游核心芯片提出更高要求，长光华芯顺应市场需求，持续优化工艺、创新技术，有效提升半导体激光芯片的功率、效率、速率等关键指标，分别在EEL和VCSEL芯片上取得显著成效，相关成果均在有影响力的国际期刊发表： 01 EEL 多结单管芯片功率超132W 在超高功率单管芯片结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的双结单管芯片室温连续功率超过132W（芯片条宽 500μm），工作效率 62%， 是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元！ 该研究成果在国际SCI知名期刊《photonics》上发表。 02 EEL 780nm宽条DFB激光器功率突破10W 在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了如光栅设计和材料生长等多个难点，取得突破性进展，开发的780nm宽条分布反馈（DFB）激光器室温连续输出功率超 ………………………………