垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）又有新消息

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本文由半导体产业纵横（ID： I CVI EWS ）综合 CFET 将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。 CFET（垂直堆叠互补场效应晶体管）是一种 CMOS 工艺，其中晶体管垂直堆叠，而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面，比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）。CFET 将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。 CFET 的概念最初由 IMEC 研究机构提出，被认为是继环栅多通道晶体管之后的晶体管架构。根据此前IMEC公布的技术路线图显示，凭借CFET晶体管技术，2032年将有望进化到5埃米（0.5nm），2036年将有望实现2埃米（0.2nm）。 CFET（互补场效应晶体管）之所以被需要，主要有以下几个原因：   持续提升性能 随着半导体技术的不断发展，对芯片性能和集成度的要求越来越高。CFET 可以在更小的空间内实现更高的晶体管密度， ………………………………