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第三代半导体器件的测试挑战

半导体行业资讯  · 公众号  · 半导体  · 2020-11-22 22:44
    

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点击半导体行业资讯 关注我哟 ☀  覆盖 20万 半导体人的专业平台, 分享最新半导体及范半导体 行业资讯 , 行业动态 , 前沿科技 。 来源:本文转发自“半导体行业观察“,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除,感谢! 第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新,基于其高速,小体积,低功耗的特点,越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到,传统的Si基IGBT或者MOSFET管要么分布在高压低速的区间,要么分布在低压高速的区间,市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术却大大扩展了分布的区间,覆盖以往没有出现过的高压高速区域,这就对器 ………………………………

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