如何在设计中轻松搭载GaN器件？答案内详~~

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如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三代半导体界的“双雄”。其中，SiC在高耐压和大电流应用方面优势突出，近年来在新能源汽车、可再生能源等功率电子领域风头无两；而GaN则凭借出色的击穿场强特性和电子饱和速度，提供出色的低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能，在100~600V中等耐压应用中表现抢眼。 图1：GaN和SiC功率器件的特性和应用 （图源：ROHM Semiconductor） 日趋火爆的GaN市场 不难看出，由于GaN的应用范围与传统的Si基器件有更多的交集，因此其市场前景也更 ………………………………