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随着人工智能硬件系统在复杂性和功耗上的扩展，对高带宽、低延迟光学互连的需求以支持高效数据传输至关重要。由于光器件制造和集成的复杂性，以低成本和大批量实现高性能光收发器仍然具有挑战性，尤其是当下硅光平台尚不能完全解决光源问题。 Si-IIIV 异质平台的一个关键优势是能够选择每个键合外延层以获得最佳性能， CMOS 工艺有助于提高产量并支持先进的计量方法，开发出具有多种 Si 、 SiN 和 IIIV 光学材料的大规模 PIC 电路。今天带来三家IIIV on silicon异质集成平台，以及在该平台上实现的 薄膜EAM or MZM性能。 1、 NTT MTP： NTT 采用基于 InP 薄膜器件，提供低功耗激光器和高调制速度 EAM ，归功于大的光学限制因子和低电容结构。薄膜结构的低有效折射率使得通过 InP 容易实现与低折射率 SiN 、 SiON 和 SiOx 波导的低损耗绝热耦合。
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